Tag Archives: М. А. Ладугин

Semiconductor lasers with improved radiation characteristics

A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov Polyus Research and Development Institute named after M. F. Stel’makh, Moscow Abstract: The characteristics of semiconductor emitters based on separate-confinement double heterostructures with quantum wells and different configurations… Read More »

1064-nm tunable single-frequency semiconductor laser module

V. P. Duraev, M. A. Ladugin, I. S. Molodtsov, S. A. Voronchenko, S. V. Medvedev, N. V. Gul’tikov “Nolatech” Joint-Stock Company, Moscow Polyus Research and Development Institute named after M. F. Stel’makh, Moscow Abstract: We report results of fabricating a 1064-nm tunable single-frequency semiconductor laser module with an external cavity based on a fibre Bragg… Read More »

InGaAs/InP PIN photodiode for optical receivers in pulsed-laser range finding systems

A. A. Koronnov, N. F. Salova, M. M. Zemlyanov, A. V. Grinin, A. E. Safutin, E. V. Kuznetsov, M. A. Ladugin, M. Yu. Kuznetsov, N. N. Bragin, A. V. Mamin M.F. Stel’makh Polyus Research Institute, Moscow K.G. Razumovsky State University of Technology and Management, Moscow Abstract: Based on an epitaxial InGaAs/InP structure, we have designed… Read More »

Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г.… Read More »

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Read More »

Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками

А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики полупроводниковых излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного огра­ничения с квантовыми ямами и с различной конфигурацией волноводных… Read More »

Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм

В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков Аннотация: Представлены результаты работы по созданию перестраиваемого одночастотного полупроводникового лазерного модуля на длину волны 1064 нм с внешним резонатором на основе волоконной брэгговской решетки, сформированной в одномодовом волоконном световоде с сохранением поляризации. Рассмотрены способы дискретной и плавной… Read More »

Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г.… Read More »

Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Проанализировано влияние легирования волноводных слоев на выходные характеристики… Read More »

Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм

О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Разработаны мощные полупроводниковые лазеры с асимметричным… Read More »