Tag Archives: М. А. Ладугин

Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин ООО “Сигм плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва Аннотация:… Read More »

Тройной интегрированный лазер-тиристор

Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф.… Read More »

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на… Read More »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Read More »

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Read More »

Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов

Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва Аннотация: Исследованы малогабаритные суперлюминесцентные… Read More »

Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии

А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Московский государственный университет технологий и управления им. К.Г.Разумовского Аннотация: На основе эпитаксиальной структуры InGaAs/InP разработан и создан мезафотодиод с входом излучения через подложку и диаметром чувствительной области 150 мкм. Предпочтительность использования данного фотодиода в фотоприемных устройствах систем… Read More »