Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами

Автор: | 16.10.2023

Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

  • Институт физики микроструктур РАН, Россия, 607680 Н.Новгород, Академическая ул., 7; e-mail: zhukavin@yandex.ru, zhur@ipmras.ru
Аннотация: Теоретически изучен кремний, легированный нейтральными гелиеподобными донорами магния, в качестве активной среды в терагерцевом диапазоне частот. Инверсионный механизм, реализующийся в Si:Mg, при оптическом возбуждении не обладает необходимой эффективностью ввиду наличия быстрых релаксационных процессов. Напротив, механизм вынужденного комбинационного рассеяния обладает меньшей чувствительностью к временам релаксации и позволяет получать перестройку спектра генерации. Важной особенностью двухзарядных доноров оказывается наличие двух стоксовых сдвигов в системе, что позволяет существенно расширить диапазон излучаемых частот. Расчеты показали, что комбинированное использование одноосной деформации кристалла и перестройки энергии кванта возбуждения в диапазоне 95 – 105 мэВ (23 – 25.5 ТГц) позволит получить ВКР в полосе частот 7 – 33 мэВ (~1.5 – 8 ТГц).
    Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, сечение усиления, кремний, двухзарядные доноры.
      Поступила в редакцию: 01.02.2023
      Принята в печать: 01.02.2023
        Образец цитирования: Жукавин Р.Х.,Цыпленков В.В., Шастин В.Н. “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53 (5), 401–405 (2023).

        Скачать (.pdf)