Яцзе Шэнь, Энхао Ли, Цзюнь Ван, Динюань Тан, Дэюань Шэнь
- Jiangsu Key Laboratory of Advanced Laser Materials and Devices, Jiangsu Normal University, China
- Jiangsu Collaborative Innovation Center of Advanced Laser Technology and Emerging Industry, Xuzhou, China
Аннотация: Сообщается о стабильной генерации на длине волны 2117 нм лазера на керамике Ho : Y2O3 с резонансной накачкой в режиме синхронизации мод и модуляции добротности с использованием насыщаемого поглотителя на основе InGaAs/GaAs. Средняя выходная мощность лазера составила 330 мВт при поглощенной мощности накачки 2.7 Вт. Стабильные импульсы синхронизации мод с частотой следования 98.9 МГц и 100%-ной глубиной модуляции группировались в цуг импульсов, возникающих за счет модуляции добротности; огибающие импульса цуга имели длительность ~1.7 мкс. Длительность импульсов синхронизации мод по оценке не превышала 1.5 нс.
Ключевые слова: синхронизация мод с модуляцией добротности, средний инфракрасный диапазон, лазерная керамика, Но : Y2O3, импульсный лазер.
Поступила в редакцию: 30.01.2021
Образец цитирования: Яцзе Шэнь, Энхао Ли, Цзюнь Ван, Динюань Тан, Дэюань Шэнь, “Стабильная генерация лазера на керамике Ho : Y2O3 с резонансной накачкой (λ = 2117 нм) в режиме модуляции добротности и синхронизации мод”, Квантовая электроника, 51:5 (2021), 419–422 [Quantum Electron., 51:5 (2021), 419–422]