В. А. Яковлев, А. В. Муратов, И. В. Кучеренко, В. С. Виноградов, Н. Н. Новикова, Г. Карчевски, Ш. Шрайэк
- Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк
- Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
- Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Poland
- Physikalisches Institute, Universität Würzburg, Germany
Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектров инфракрасного отражения тонких (~60 нм) пленок Pb1-xSnxTe с х = 0.25, 0.53 и 0.59, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на гибридных подложках GaAs/CdTe в области 20–5500 см-1 в интервале температур 5–300 K. Из спектров определены температурные зависимости частот поперечных фононов и плазмонов этих пленок, позволившие обнаружить структурный фазовый переход при ТC ≈ 50 K. Выявлено увеличение плазменных частот с уменьшением ширины запрещенной зоны при охлаждении образца от 300 до 77 K. Увеличение плазменной частоты в основном может быть связано с увеличением концентрации носителей и c переходом их из вихревых токов на поверхности пленки в валентную зону.
Ключевые слова: спектры отражения, дисперсионный анализ, поперечные фононы, фазовый переход, плазменная частота, вихревые токи
Поступила в редакцию: 03.02.2020
Образец цитирования: В. А. Яковлев, А. В. Муратов, И. В. Кучеренко, В. С. Виноградов, Н. Н. Новикова, Г. Карчевски, Ш. Шрайэк, “Структурный фазовый переход и проявление вихревых токов в ИК спектрах отражения полупроводниковых пленок PbSnTe”, Квантовая электроника, 50:3 (2020), 263–266 [Quantum Electron., 50:3 (2020), 263–266]