Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высоко- частотным разрядом и криогенным охлаждением электродов
А. А. Ионин, М. В. Ионин, И. О. Киняевский, Ю. М. Климачев, А. Ю. Козлов, А. А. Котков, О. А. Рулев, Д. В. Синицын Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53; e-mail: kozlovay@lebedev.ru, klimachevym@lebedev.ru Аннотация: Инициированные Н.Г.Басовым в первой половине 1970-х гг. работы по созданию электроионизационных лазеров на окиси углерода позволили… Читать далее »