Архив метки: А. П. Богатов

Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя

В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Аннотация: Проведен анализ достигнутых уровней выходной мощности одиночных линеек лазерных диодов (ЛЛД) и плотности мощности излучения двумерных матриц лазерных диодов (МЛД). Предложена новая конструкция МЛД и приведены результаты моделирования её теплового режима. При использовании… Читать далее »