Архив метки: В. А. Стрелец

Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в… Читать далее »

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”,… Читать далее »