Особенности распространения ультракороткого лазерного импульса с несущей частотой, близкой к ширине запрещенной зоны GaAs
В. Е. Гришков, А. Г. Максимов, С. А. Урюпин Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 115409 Москва, Каширское ш., 31 Аннотация: Изучено проникновение в GaAs ультракороткого лазерного импульса (УКЛИ) с несущей частотой, близкой к краю поглощения. Показано, что при описании проникновения такого импульса необходимо… Читать далее »