Архив метки: Г. В. Ланский

Кристаллы BABF и BAGBF: свойства и функциональные возможности для различных процессов преобразования частоты

С. Г. Гречин, Г. В. Ланский Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, Москва Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Россия, Томск Аннотация: Представлены данные о физических параметрах кристаллов BaAlBO3F2 (BABF) и BaAl0.61Ga0.39BO3F2 (BAGBF) и их функциональных возможностях для различных процессов преобразования частоты. Определены основные процессы, позволяющие формировать излучение с максимальной эффективностью, в том… Читать далее »