В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в… Читать далее »
Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”,… Читать далее »
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, г. С.-Петербург Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры… Читать далее »