Структуры с квантовыми точками II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов
Чжунюэ Чжан, Лияо Чжан, Минсюань Чжан, Шуан Яо, Пэн Юй, Сяодань Ли Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology Аннотация: Предложена структура с квантовыми точками (КТ) II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов. Для моделирования распределения деформаций и зонной структуры предложенных гетероструктур с различными содержанием Bi и… Читать далее »