Влияние технологии постростовой обработки и параметров лазерного излучения на длинах волн 2091 и 1064 нм на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2
Н. Н. Юдин, О. Л. Антипов, А. И. Грибенюков, И. Д. Еранов, С. Н. Подзывалов, М. М. Зиновьев, Л. А. Воронин, Е. В. Журавлева, М. П. Зыкова Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород Национальный исследовательский Томский государственный университет Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН, г. Томск ООО ”Лаборатория оптических… Читать далее »