Архив метки: В. М. Каневский

Некоторые особенности краевого излучения кристаллов ZnO, выращенных на кремниевых вискерах

Ч. М. Брискина, В. М. Маркушев, Л. А. Задорожная, М. Е. Гиваргизов, В. Н. Яшков, И. С. Волчков, В. М. Каневский Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук Аннотация: Проанализирован при комнатной температуре характер краевого излучения нанокристаллов ZnO, сформированных на кремниевых подложках с вискерами. Исследовались спектральные особенности излучения ZnO, выращенного как непосредственно… Читать далее »