С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
- Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм, изготовленных на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с тремя оптически не связанными лазерными частями. При накачке импульсами тока с амплитудой 47 А и длительностью 1 мкс продемонстрирована максимальная мощность 110 Вт, причем наибольший нагрев активной области не превысил 4.7 °С. При длительности лазерных импульсов 860 мкс максимальная оптическая мощность составила 22.6 Вт, при этом падение оптической мощности в конце импульса достигало 6.7%. Уменьшение длительности лазерного импульса до 85 мкс позволило довести пиковую лазерную мощность до 41.4 Вт при амплитуде тока накачки 20 А.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, туннельно-связанные гетероструктуры
Поступила в редакцию: 08.11.2021
Образец цитирования: С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178]