Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Читать далее »