2021 г. Лазеры

2024   2023  2022   2021   2020    2019   2018   2017   2016   2015   2014    2013   2012   2011   2010   2009   2008   2007   2006   2005   2004   2003   2002   2001   2000

• Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
  Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин
• Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
  П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев
• Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
  Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
• О возможности применения тетрафторгидразина в качестве окислителя в сверхзвуковом непрерывном химическом НF-лазере
  И. А. Фёдоров
• Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя
  В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный
• Структуры с квантовыми точками II типа GaAsBi в GaSb для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов
  Чжунюэ Чжан, Лияо Чжан, Минсюань Чжан, Шуан Яо, Пэн Юй, Сяодань Ли
• Спонтанное и вынужденное излучения полимерных тонкопленочных структур в присутствии паров нитротолуола
  Ш. Т. Бердыбаева, Е. Н. Тельминов, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Л. Г. Самсонова, Т. Н. Копылова
• Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
  Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин
• Перестраиваемый низкокогерентный источник света высокой спектральной яркости
  В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович
• Лазерная генерация излучения ближнего ИК диапазона на парах цезия
  А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, С. Н. Куликов, С. Н. Носов, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов, В. А. Шотниев
• Стабильная генерация лазера на керамике Ho : Y₂O₃ с резонансной накачкой (λ = 2117 нм) в режиме модуляции добротности и синхронизации мод
  Яцзе Шэнь, Энхао Ли, Цзюнь Ван, Динюань Тан, Дэюань Шэнь
• Диодный лазер, генерирующий импульсы длительностью 3 нс, для лидара с высоким пространственным разрешением
  С. М. Першин, М. Я. Гришин, В. А. Завозин, В. С. Макаров, В. Н. Леднёв, А. Н. Фёдоров, А. В. Мясников, А. В. Тюрин
• Синхронизация поперечных мод стоксовой компоненты излучения Nd : KGW-лазера c продольной диодной накачкой, работающего в режиме модуляции добротности
  А. Л. Коромыслов, И. М. Тупицын, Е. А. Чешев, Р. В. Чулков
• Лазерная генерация на кристаллах ZrO₂ – Y₂O₃ – Ho₂O₃ в режиме модуляции добротности
  С. А. Артемов, Е. А. Артемов, Е. Е. Ломонова, П. А. Рябочкина, А. Н. Чабушкин
• Формирование волновода в кристалле LiF световой пулей среднего ИК диапазона
  А. В. Кузнецов, А. Е. Дормидонов, В. О. Компанец, С. В. Чекалин, В. П. Кандидов
• Лазерное усиление в активном зеркале из Yb : YAG с большим градиентом температур
  Г. В. Купцов, В. А. Петров, В. В. Петров, А. В. Лаптев, А. О. Коновалова, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков
• Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой
  Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин
• Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
  В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин
• Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
  Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков
• Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D₂ цезия
  О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов
• Экспериментальное исследование полностью оптоволоконного усилителя мощностью 100 Вт, работающего вблизи 980 нм
  М. Чен, Х. Ду, Дж. Цао, А. Лю, Чж. Пан, Чж. Хуанг, Цз. Чен
• Повышение выходной мощности излучения с длиной волны около 1650 нм методом двухполяризационного рамановского усиления
  В. И. Григорьевский, Я. А. Тезадов
• Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа
  Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин