Годы
О возможном влиянии поглощения на переходе Xe2Cl(62Г←42Г) на спектр генерации Xe2Cl(42Г→12Г)-лазера
В.А. Алексеев
Одновременная генерация на трёх длинах волн в среде He–Kr–Ar с оптической накачкой
Ю. А. Адаменков, М. А. Горбунов, Е. В. Кабак, А. А. Калачева, В. А. Шайдулина, А. В. Юрьев
Определение длины диффузии неравновесных носителей в гетероструктурах CdS/ZnSe/ZnSSe, предназначенных для полупроводниковых дисковых лазеров
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский, Н. Р. Юнусова
Иттербиевый волоконный лазер, работающий в режиме переключения усиления на длине волны 1127 нм
С. А. Филатова, В. А. Камынин, А. Р. Макеева, А. А. Рыбалтовский, А. Е. Фалэ, А. И. Федосеев, В. Б. Цветков
Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский
Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
П.С. Гаврина, А.А. Подоскин, И.В. Шушканов, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков
Определение константы скорости релаксации первого колебательного уровня молекулы СО на парах воды по динамике люминесценции в послесвечении импульсного электроионизационного разряда
А.А. Ионин, А.Ю. Козлов, И.В. Кочетов, А.К. Курносов, О.А. Рулев, Д.В. Синицын