2022 г. Лазеры

Автор: | 14.10.2024

Годы


Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели
С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин

Автомодуляционные колебания в твердотельном кольцевом лазере со связанными резонаторами
И. И. Золотоверх, Е. Г. Ларионцев, В. В. Фирсов, С. Н. Чекина

Анализ характеристик импульса при модуляции усиления в низкоразмерных полупроводниковых лазерах с использованием модели ABC
Сюйминь Бао, Юэцзинь Лю, Гоэнь Вэн, Сяобо Ху, Шаоцян Чень

Оптимизация оптической схемы компактного двухпроходного Nd : YAG-усилителя для применения в дальнометрии
В. М. Поляков, А. В. Ковалев, А. В. Усков

Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин

Твердотельный органический лазер с диапазоном перестройки длины волны излучения 78 нм
Е. Н. Тельминов, А. Х. Якуб, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Т. Н. Копылова

Многопроходный дисковый Yb : KGW-усилитель
А. К. Потемкин, М. А. Мартьянов, С. Ю. Миронов

Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев

Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни
А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк

Усиление лазерного излучения на краю спектральной линии KrF (B – X)
С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский, Ю. Н. Панченко, А. В. Пучикин
Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики
М. В. Богданович, В. Н. Дудиков, К. В. Лепченков, В. А. Лойко, Ю. М. Попов, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев

Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин

Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков

Лазеры на кристаллах Er3+:YAG, Er3+:Cr3+:YSGG и Ho3+:Yb3+:Cr3+:YSGG с диодной накачкой высокой мощности
В. П. Митрохин, А. Д. Саввин, В. А. Симонова, А. А. Сироткин, К. Н. Фирсов, А. Е. Дормидонов

Висмутовый волоконный лазер с накачкой в оболочку световода, излучающий в области длин волн 1.3 – 1.4 мкм
А. С. Вахрушев, А. В. Харахордин, А. М. Хегай, С. В. Алышев, К. Е. Рюмкин, Е. Г. Фирстова, А. А. Умников, А. С. Лобанов, Ф. В. Афанасьев, А. Н. Гурьянов, М. А. Мелькумов, С. В. Фирстов

Пикосекундный рамановский волоконный лазер с длиной волны 2.84 мкм
А. А. Крылов, А. В. Гладышев, А. К. Сенаторов, Ю. П. Яценко, А. Н. Колядин, А. Ф. Косолапов, М. М. Худяков, М. Е. Лихачев, И. А. Буфетов

Лазер на метастабильных атомах Ar* мощностью 1 Вт с поперечной оптической накачкой
А. А. Адаменков, Ю. А. Адаменков, М. В. Волков, Б. А. Выскубенко, С. Г. Гаранин, М. А. Горбунов, А. П. Домажиров, М. В. Егорушин, А. А. Калачева, Ю. В. Колобянин, Н. А. Конкина, А. А. Хлебников, В. А. Шайдулина, Ф. А. Стариков

Расходимость излучения микросекундных лазеров на растворе родамина 6Ж и твердотельного лазера на основе нанокомпозита, активированного периленом
В. В. Тарковский, С. С. Ануфрик, А. О. Ромашкевич, П. Р. Макей

Высокоэффективный Tm : LSO-лазер непрерывного действия с внутриполосной накачкой на длине волны 1610 нм
Мэнцзе Пей, Цзязе Ву, Юй Дин, Сяомин Дуань

Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм
В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков

Формирование излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
А. Е. Шепелев, А. Г. Путилов, А. А. Антипов, А. А. Ангелуц

ВУФ генерация в водороде и фторе в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами
А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко, В. В. Кожевников

Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором
В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов

Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Аналитическая модель лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой
А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин

Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Н. В. Крыжановская, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров

Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса
С. М. Першин, В. С. Макаров, М. Я. Гришин, В. А. Завозин, А. Л. Коромыслов, В. Н. Леднёв, П. А. Сдвиженский, И. Прохазка, И. М. Тупицын, Е. А. Чешев