- Генерация излучения с перестраиваемым гребенчатым спектром в кольцевых волоконных резонаторах на основе активных фотонно-кристаллических структур
- Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
- Изготовление и исследование генерационных характеристик монолитных керамических микрочип-лазеров Nd3+:YAG/Cr4+:YAG
- Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Alx Ga1 – x As/AlyGa1 – y As при оптической накачке с различной длиной волны излучения
- Исследование эффективности непрерывной, одномодовой генерации YLF:Nd3+-лазера с продольной накачкой
- Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
- Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
- Когерентный суперконтинуум среднего ИК диапазона в световоде с полой сердцевиной, заполненной смесью дейтерия и азота
- Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
- Лазерный усилитель на пластинчатом активном элементе Yb : YAG
- Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
- Многоволновая генерация стоксовых компонент излучения с малым межволновым интервалом при вынужденном комбинационном рассеянии в кристалле SrMoO4
- Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
- Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой
- Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
- Пороговые характеристики ВКР-преобразования 1.56 → 2.84 мкм в метане при широкополосной накачке мощными частотно-модулированными импульсами эрбиевого волоконного источника
- Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку
- Фемтосекундный Cr2+ : ZnSe-лазер с синхронизацией мод на основе углеродных нанотрубок
- Широкополосная генерация излучения на суммарных частотах СО-лазера в просветленном и непросветленном кристаллах ZnGeP2
- Электроразрядный KrCl-лазер с высокой мощностью накачки