Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне длительностей импульсов тока накачки 1.0 – 9.5 мс (частота следования 10 Гц) и его амплитуде до 50 А сохраняется высокая излучательная эффективность, соответствующая наклону ватт-амперной характеристики (ВтАХ) 1.03 Вт/А, при этом максимальная пиковая мощность достигает 48.4 Вт. Продемонстрирована возможность работы микролинейки в квазинепрерывном режиме при повышении температуры теплоотвода до 100 °С и с сохранением линейности ВтАХ при мощности 25.7 Вт и токе накачки 42 А. Показана высокая однородность распределения интенсивности излучения в дальней зоне с углом расходимости (на уровне половины от максимума интенсивности) около 13° в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры, и около 8° в плоскости им параллельной.

Ключевые слова: линейки лазерных диодов, мощные полупроводниковые лазеры, расходимость в перпендикулярной плоскости, квазинепрерывный режим генерации.