Е. В. Бармина, В. Д. Кобцев, С. А. Кострица, С. Н. Орлов, В. В. Смирнов, М. И. Жильникова, О. В. Уваров, Г. А. Шафеев Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва Аннотация: Проведен анализ диффузионного горения в кислороде композитного топлива, образованного добавлением наночастиц (НЧ) алюминия в изопропанол. Процесс получения НЧ Al… Читать далее »
Ч. М. Брискина, В. М. Маркушев, Л. А. Задорожная, М. Е. Гиваргизов, В. Н. Яшков, И. С. Волчков, В. М. Каневский Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук Аннотация: Проанализирован при комнатной температуре характер краевого излучения нанокристаллов ZnO, сформированных на кремниевых подложках с вискерами. Исследовались спектральные особенности излучения ZnO, выращенного как непосредственно… Читать далее »
А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Московский государственный университет технологий и управления им. К.Г.Разумовского Аннотация: На основе эпитаксиальной структуры InGaAs/InP разработан и создан мезафотодиод с входом излучения через подложку и диаметром чувствительной области 150 мкм. Предпочтительность использования данного фотодиода в фотоприемных устройствах систем… Читать далее »