Двухуровневый газовый лазер с поперечной диодной накачкой

Автор: | 19.10.2022

А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин

  • Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Теоретически исследован новый метод генерации лазерного излучения двухуровневой системой без инверсии населенностей в “красном” крыле ее спектральной линии при резонансном поглощении широкополосного излучения лазерных диодов накачки. Двухуровневой системой моделируются атомы активного газа, находящегося в атмосфере буферного газа высокого давления. Эффект обусловлен тем обстоятельством, что в “красном” крыле спектральной линии вероятность вынужденного испускания превышает вероятность поглощения, если однородное уширение из-за взаимодействия частиц с буферным газом существенно превышает естественное (при больших давлениях буферного газа). Получены аналитические формулы, описывающие работу двухуровневого газового лазера при поперечной диодной накачке. Установлено, что эффективность преобразования излучения накачки в лазерное излучение тем больше, чем длиннее активная среда, выше давление буферного газа и интенсивность излучения накачки и чем меньше ширина спектра излучения накачки. В достаточно длинной активной среде (длина среды в 50 раз превышает ее ширину) эффективность преобразования может достигать 44% при давлении буферного газа 5 атм, интенсивности излучения диодов накачки 3 кВт/см2 и полуширине его спектра 1 см-1. Двухуровневый газовый лазер с поперечной диодной накачкой способен генерировать непрерывное оптическое излучение с очень высокой (до 100 кВт) мощностью. Частота лазерного излучения может перестраиваться на несколько десятков см-1.
Ключевые слова: двухуровневая система, безынверсное усиление излучения, диодная накачка, столкновения, коэффициенты Эйнштейна, крыло спектральной линии.
Поступила в редакцию: 08.12.2021
Принята в печать:08.12.2021
Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2022, 52:5, 426–436
Образец цитирования: А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин, “Двухуровневый газовый лазер с поперечной диодной накачкой”, Квантовая электроника, 52:5 (2022), 426–436 [Quantum Electron., 52:5 (2022), 426–436]