Category Archives: Лазеры

Пороговые характеристики ВКР-преобразования 1.56 → 2.84 мкм в метане при широкополосной накачке мощными частотно-модулированными импульсами эрбиевого волоконного источника

А. А. Крылов, А. В. Гладышев, Ю. П. Яценко, А. К. Сенаторов, А. Н. Колядин, А. Ф. Косолапов, М. М. Худяков, М. Е. Лихачев, И. А. Буфетов Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е.М.Дианова РАН, Россия, 119991 Москва, ул. Вавилова, 38; e-mail: sokolak@mail.ru Аннотация: Исследованы пороговые характеристики ВКР-генерации на длине… Read More »

Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки

С. О. Слипченко, О. С. Соболева, В. С. Головин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург, Политехническая ул., 26; e-mail: Serghpl@mail.ioffe.ru Аннотация: На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано,… Read More »

Электроразрядный KrCl-лазер с высокой мощностью накачки

С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский, Ю. Н. Панченко, А. В. Пучикин, Е. В. Горлов С.А.Ямпольская, А.Г.Ястремский, А.В.Пучикин. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск, просп. Академический, 2/3; e-mail: s_yampolskaya@yahoo.com Е.В.Горлов. Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Россия, 634055 Томск, пл. Акад. Зуева, 1 Ю.Н.Панченко. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск,… Read More »

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Read More »

Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Read More »

Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК “ФИД-Техника”, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Read More »

Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва Институт космических исследований РАН, г. Москва Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Czech Technical University in Prague, Prague, Czech Republic Аннотация: Впервые, насколько нам известно, исследован уникальный дальномер, созданный на базе диодного инжекционного лазера с безопасным для глаз уровнем… Read More »

Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, С.-Петербург Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Санкт-Петербург АО “ОКБ-Планета”, г. Великий Новгород Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ООО “Коннектор Оптикс”, г. Санкт-Петербург… Read More »

Аналитическая модель лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Теоретически исследована работа лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой. Для случая не слишком малого коэффициента отражения выходного зеркала получено аналитическое решение, которое позволяет исчерпывающе определить любые энергетические характеристики лазера и найти оптимальные параметры рабочей среды и излучения накачки, необходимые для наиболее эффективной работы… Read More »

Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)

И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Развит подход, направленный на исследование временной зависимости перегрева активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой апертурой (800 мкм),… Read More »