Фотоиндуцированная кристаллизация аморфных пленок GeTe и Sb2Te3 лазерными пучками различной структуры

Автор: | 13.04.2026

Я. С. Лебедева, П. А. Смирнов, И. А. Будаговский, А. В. Ромашкин, К. Г. Никитин, И. В. Сагунова, В. Б. Пестова, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, М. П. Смаев

  • Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498 Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1
  • НПК «Технологический центр», Россия, 124498 Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7
  • Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53
Аннотация: Фазопеременные материалы активно используются в области нанотехнологий и микроэлектроники благодаря способности обратимо переключаться между аморфным и кристаллическим состояниями, изменяя при этом свои электрические и оптические свойства. Тройное соединение Ge2Sb2Te5, наиболее изученное и широко применяемое среди фазопеременных материалов, состоит из двух бинарных теллуридов – GeTe и Sb2Te3, каждый из которых является перспективным фазопеременным соединением. Нами рассмотрена модификация тонких аморфных пленок GeTe и Sb2Te3 непрерывными лазерными пучками различной структуры: эрмит-гауссовыми модами HG00 и HG01, векторными пучками, оптическим вихрем. Анализ облученных областей проводился на основе оценок яркости оптических изображений и спектроскопии комбинационного рассеяния, которые позволили сделать вывод о перспективности пучков с кольцевым профилем интенсивности для создания оптимального профиля нагрева и достижения более однородной кристаллизации в сравнении с HG00. Для всех типов пучков индуцированные лазером структурные изменения, проявившиеся в существенном изменении спектров комбинационного рассеяния, сопровождались заметным изменением оптического контраста (отражательной способности) для теллурида германия и много меньшим – для теллурида сурьмы.
Ключевые слова: фазопеременные материалы, лазерная кристаллизация, оптическая микроскопия, спектроскопия комбинационного рассеяния, GeTe, Sb2Te3, эрмит-гауссовы пучки, векторные пучки.
Поступила в редакцию: 18.11.2025
После доработки: 25.11.2025
Принята в печать: 25.11.2025
Образец цитирования: Я. С. Лебедева, П. А. Смирнов, И. А. Будаговский, А. В. Ромашкин, К. Г. Никитин, И. В. Сагунова, В. Б. Пестова, А. А. Шерченков, П. И. Лазаренко, М. П. Смаев, «Фотоиндуцированная кристаллизация аморфных пленок GeTe и SbTe лазерными пучками различной структуры», Квантовая электроника , 55 : 12 (2025), 782-790

Скачать (.pdf)