Получение плёнок фторида кальция методом импульсного лазерного осаждения с последующим отжигом в атмосфере тетрафторида углерода

Автор: | 13.04.2026

В. А. Шилов, Д. В. Бортко, Ю. Ю. Лебединский, П. В. Борисюк, О. С. Васильев, Е. В. Ткаля

  • Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53
  • Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 115409 Москва, Каширское ш., 31
Аннотация: Представлено исследование методики получения тонкой плёнки фторида кальция (CaF2) методом импульсного лазерного осаждения в условиях сверхвысокого вакуума с последующей термической обработкой в атмосфере тетрафторида углерода (CF4). Осаждение проводилось на поверхность монокристаллического кремния Si(100) при комнатной температуре. Изучено влияние термического отжига на электронные свойства плёнки. Для оценки качества осаждённого слоя применялись методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ), позволившие выявить изменения в электронной структуре, подтвердить высокую чистоту плёнки и низкое количество дефектов после отжига. Также был определён оптимальный режим аттестации качества плёнки путём сравнения полученных с помощью СХПЭЭ спектров плёнки и эталонного кристалла CaF2 при разных энергиях пучка электронов (100 – 500 эВ). Полученные данные показывают возможность использования предложенной методики для формирования высококачественной плёнки CaF2 как широкозонного диэлектрика для перспективных применений, включая имплантацию тория.
Ключевые слова: фторид кальция, импульсное лазерное осаждение, тонкие плёнки, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов.
Поступила в редакцию: 02.09.2025
После доработки: 28.12.2025
Принята в печать: 28.12.2028
Образец цитирования: В. А. Шилов, Д. В. Бортко, Ю. Ю. Лебединский, П. В. Борисюк, О. С. Васильев, Е. В. Ткаля, «Получение плёнок фторида кальция методом импульсного лазерного осаждения с последующим отжигом в атмосфере тетрафторида углерода», Квантовая электроника , 55 : 12 (2025), 791-794

Скачать (.pdf)