Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера

Автор: | 14.11.2022
Нет комментариев

П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова

  • Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва, г. Саранск
  • ФГУП “Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл.
  • ООО “МЦКТ”, Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково
  • Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация: Получена импульсная двухмикронная лазерная генерация на переходе 5I7 → 5I8 ионов Ho3+ кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при резонансной накачке на уровень 5I7 этих ионов излучением импульсного лазера на кристалле LiYF4 : Tm. Эффективность преобразования излучения накачки, падающей на кристалл, в излучение лазерной генерации и дифференциальный КПД генерации при длительности импульсов 8 мс и частоте их следования 10 Гц составили 25% и 28% соответственно.
Ключевые слова: тулиевый лазер, двухмикронный спектральный диапазон, кристалл ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3
Поступила в редакцию: 14.04.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, 50:8, 727–729
Образец цитирования: П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова, “Генерационные характеристики кристаллов ZrO2 – Y2O3 – Ho2O3 при накачке импульсным излучением Tm : LiYF4-лазера”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 727–729 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 727–729]