Н. Н. Ильичев, А. А. Гладилин, Э. С. Гулямова, В. П. Калинушкин, С. А. Миронов, А. В. Сидорин, П. П. Пашинин, В. В. Туморин, Е. М. Гаврищук, Д. В. Савин, С. А. Родин, В. Б. Иконников, М. В. Чукичев Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г.… Читать далее »
П. А. Рябочкина, С. А. Артемов, Н. Г. Захаров, Е. В. Салтыков, К. В. Воронцов, А. Н. Чабушкин, Е. Е. Ломонова Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва, г. Саранск ФГУП “Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ”, г. Саров Нижегородской обл. ООО “МЦКТ”, Московская обл., Одинцовский р-н, д. Сколково Институт общей физики им.… Читать далее »
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев… Читать далее »
В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. С.-Петербург Университет ИТМО,… Читать далее »
Ц. Х. Жэнь, Ц. Ван, М. Ян, Х. Ц. Ван, Ц. Чэн, Ю. Ц. Хуан, С. М. Жэнь, Х. М. Цзи, С. Ло State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, China Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China Аннотация: Продемонстрирована… Читать далее »
И. С. Молодцов, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. Б. Крыса, И. И. Засавицкий Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва ОАО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, UK Аннотация: На основе согласованной гетеропары Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As разработан квантовый каскадный… Читать далее »
Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин ООО “Сигм плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва Аннотация:… Читать далее »
П. А. Хандохин Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород Аннотация: На основе модели биполяризационного лазера, учитывающей реальные ориентации поглощающих и излучающих диполей активных центров в элементарной ячейке монокристалла Nd : YAG, показано, что для возникновения низкочастотных релаксационных колебаний необходимо участие обоих конкурирующих каналов накачки через линейно и циркулярно поляризованные дипольные переходы.… Читать далее »
Е. О. Батура, Ю. К. Бобрецова, М. В. Богданович, Д. А. Веселов, А. В. Григорьев, В. Н. Дудиков, А. М. Кот, Н. А. Пихтин, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, С. О. Слипченко, П. В. Шпак Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация:… Читать далее »
В. Д. Курносов, К. В. Курносов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Проведено численное моделирование расходимости излучения и коэффициента оптического ограничения полупроводникового лазера с асимметричным периодическим (многослойным) волноводом. Объяснены причины выбора данной конструкции гетероструктуры и то, к чему приводит выбор других соотношений слоев. Показано, как выбирать толщину активного волновода, положение активной… Читать далее »