Архив метки: Д. Р. Сабитов

Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин ООО “Сигм плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва Аннотация:… Читать далее »

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин a ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет… Читать далее »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Читать далее »

Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов

Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва Аннотация: Исследованы малогабаритные суперлюминесцентные… Читать далее »