Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов

Автор: | 19.10.2022
Нет комментариев

Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин

  • ООО “Сигм Плюс”, г. Москва
  • Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва
  • Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
Аннотация: Исследованы малогабаритные суперлюминесцентные диоды, созданные на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами. Продемонстрированы характеристики данных диодов, позволяющие применять их для создания волоконно-оптических гироскопов в температурном диапазоне –55 °С – +70 °С. Приборы показали приемлемую надежность и потенциал к дальнейшему улучшению.
Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, квантовая яма, компенсация упругих напряжений, AlGaInAs / InP, волоконно-оптический гироскоп
Поступила в редакцию: 03.03.2022
Исправленный вариант: 05.04.2022
Принята в печать:05.04.2022
Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2022, 52:6, 577–579
Образец цитирования: Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов”, Квантовая электроника, 52:6 (2022), 577–579 [Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579]