Архив метки: Н. В. Гультиков

Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм

В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков Аннотация: Представлены результаты работы по созданию перестраиваемого одночастотного полупроводникового лазерного модуля на длину волны 1064 нм с внешним резонатором на основе волоконной брэгговской решетки, сформированной в одномодовом волоконном световоде с сохранением поляризации. Рассмотрены способы дискретной и плавной… Читать далее »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Читать далее »