Архив метки: А. Н. Гончаров

Источник излучения на длине волны 457 нм на основе полупроводникового лазера для прецизионной спектроскопии атомов магния

А. Н. Гончаров, В. И. Барауля, А. Э. Бонерт, М. А. Тропников Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Новосибирский национальный исследовательский государственный университет Новосибирский государственный технический университет Аннотация: Сообщается о создании высокостабильного источника излучения на длине волны 457 нм на основе диодного лазера и полупроводникового усилителя с расширяющимся каналом усиления, работающего по двухпроходной схеме.… Читать далее »

Исследование резонансов насыщенного поглощения на переходах 3P0, 1, 2 – 3D1, 2, 3 атомов магния в разрядной ячейке с полым катодом

А. Н. Гончаров, О. А. Климачева, А. О. Мельникова Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Новосибирский исследовательский государственный университет Новосибирский государственный технический университет Аннотация: Представлены результаты исследований резонансов насыщенного поглощения на переходах 3P0, 1, 2 – 3D1, 2, 3 атомов магния в разрядной ячейке с полым катодом. Ширина линии наблюдаемых резонансов насыщенного поглощения на… Читать далее »