Архив метки: В. А. Олещенко

Разогрев водных суспензий наночастиц кремния при воздействии излучения лазерного диода с длиной волны 808 нм для применений в методе локальной фотогипертермии

В. А. Олещенко, В. В. Безотосный, В. Ю. Тимошенко Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет Аннотация: Проведено 3D моделирование распределения тепловых полей в водных суспензиях кремниевых наночастиц при облучении мощным лазерным диодом с длиной волны 808 нм… Читать далее »

Моделирование конструкции двумерной матрицы лазерных диодов с прямым охлаждением потоком теплоносителя

В. А. Олещенко, А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Аннотация: Проведен анализ достигнутых уровней выходной мощности одиночных линеек лазерных диодов (ЛЛД) и плотности мощности излучения двумерных матриц лазерных диодов (МЛД). Предложена новая конструкция МЛД и приведены результаты моделирования её теплового режима. При использовании… Читать далее »

Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN

В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Аннотация: Представлены сравнительные результаты 3D расчёта профилей термоупругих напряжений (ТУН) в линейках лазерных диодов (ЛЛД), смонтированных на сабмаунтах (термокомпенсаторах) из CuW и AlN и работающих при мощностях непрерывной тепловой нагрузки до 220 Вт. В результате… Читать далее »