- Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели
- Аналитическая модель лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой
- Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
- Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
- Висмутовый волоконный лазер с накачкой в оболочку световода, излучающий в области длин волн 1.3 – 1.4 мкм
- ВУФ генерация в водороде и фторе в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами
- Высокоэффективный Tm : LSO-лазер непрерывного действия с внутриполосной накачкой на длине волны 1610 нм
- Двухуровневый газовый лазер с поперечной диодной накачкой
- Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
- Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой
- Лазер на метастабильных атомах Ar* мощностью 1 Вт с поперечной оптической накачкой
- Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни
- Лазеры на кристаллах Er3+:YAG, Er3+:Cr3+:YSGG и Ho3+:Yb3+:Cr3+:YSGG с диодной накачкой высокой мощности
- Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
- Многопроходный дисковый Yb : KGW-усилитель
- Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
- Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором
- Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса
- Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики
- Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм
- Пикосекундный рамановский волоконный лазер с длиной волны 2.84 мкм
- Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком
- Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода
- Расходимость излучения микросекундных лазеров на растворе родамина 6Ж и твердотельного лазера на основе нанокомпозита, активированного периленом
- Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
- Твердотельный органический лазер с диапазоном перестройки длины волны излучения 78 нм
- Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN
- Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом
- Усиление лазерного излучения на краю спектральной линии KrF (B – X)
- Формирование излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона