Архивы автора: vasileva

Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высоко- частотным разрядом и криогенным охлаждением электродов

А. А. Ионин, М. В. Ионин, И. О. Киняевский, Ю. М. Климачев, А. Ю. Козлов, А. А. Котков, О. А. Рулев, Д. В. Синицын Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53; e-mail: kozlovay@lebedev.ru, klimachevym@lebedev.ru Аннотация: Инициированные Н.Г.Басовым в первой половине 1970-х гг. работы по созданию электроионизационных лазеров на окиси углерода позволили… Читать далее »

Лазерная резка алюминиевых сплавов из- лучением импульсного СО₂-лазера в струе аргона в условиях формирования оптического разряда

В. Б. Шулятьев, М. А. Гулов, Е. В. Карпов, А. Г. Маликов, К. Р. Бойко В.Б.Шулятьев, М.А.Гулов, А.Г.Маликов, К.Р.Бойко. Институт теоретической и прикладной механики им. С.А.Христиановича СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск, ул. Институтская, 4/1; e-mail: shulyat@rambler.ru Е.В.Карпов. Институт гидродинамики им. М.А.Лаврентьева СО РАН, Россия, 630090 Новосибирск, просп. Акад. Лаврентьева, 15 Аннотация: Рассмотрен процесс лазерной резки… Читать далее »

Заместители главного редактора

Губернов Владимир Владимирович Доктор физ.-мат, наук Помощник директора ФИАН, ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторией активных коллоидных систем, заведующий отдела аспирантуры ФИАН Савинов Сергей Юрьевич Доктор физ.-мат, наук Помощник директора ФИАН по научной работе, зав. отделом Оптики низкотемпературной плазмы

Главный редактор

Колачевский Николай Николаевич Доктор физ.-мат. наук, академик РАН Директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Персональная страница на сайте ФИАН

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ «Полюс»… Читать далее »

Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Читать далее »

Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК «ФИД-Техника», г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Читать далее »