Архив метки: А. Е. Дракин

Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой

С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик С.Д.Таривердиев, А.В.Березуцкий. ООО «Лассард», Россия, 109316 Москва, Варшавское шоссе, д. 26, стр. 11; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, 115409 Москва, Каширское ш., 31; e-mail: tariverdiyev91@mail.ru А.Е.Дракин, А.Л.Коромыслов. Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия,… Читать далее »

Оптический метод определения амплитуды СВЧ модуляции тока диодных лазеров с вертикальным резонатором

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Описан метод оптического измерения амплитуды СВЧ модуляции тока диодного лазера с вертикальным резонатором. Метод основан на сопоставлении смещения частоты генерации лазера при изменении постоянной составляющей тока и при изменении амплитуды СВЧ модуляции. Смещение обусловлено нагревом резонатора… Читать далее »

Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов Аннотация: Продемонстрирована интеграция 24-х лазерных диодов с внешним резонатором в один спектрально-узкополосный излучатель с длиной волны вблизи 779 нм, суммарной мощностью свыше 35 Вт и шириной спектра не… Читать далее »

Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров

Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян ООО “Лассард”, г.Обнинск, Московская обл. Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва ООО “НПП Инжект”, Россия, Саратов Аннотация: Описан метод определения допустимой толщины слоя титана для пассивирования излучающих граней диодного лазера. Пассивация реактивным металлом легко встраиваема в процесс производства диодных лазеров. В… Читать далее »