Лазеры Исследование работы Fe:ZnSe-лазера в импульсном и импульсно-периодическом режимах С. Д. Великанов, Н. А. Зарецкий, Е. А. Зотов, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, О. Н. Крохин, А. А. Манешкин, Ю. П. Подмарьков, С. А. Савинова, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Р. С. Чуваткин, И. М. Юткин 1–7 Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с… Читать далее »
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на… Читать далее »
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый дисковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры, содержащей десять сдвоенных квантовых ям CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭМОС)… Читать далее »
М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Читать далее »
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Читать далее »