К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г.… Читать далее »
А. А. Крылов, А. В. Гладышев, Ю. П. Яценко, А. К. Сенаторов, А. Н. Колядин, А. Ф. Косолапов, М. М. Худяков, М. Е. Лихачев, И. А. Буфетов Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Научный центр волоконной оптики им. Е.М.Дианова РАН, Россия, 119991 Москва, ул. Вавилова, 38; e-mail: sokolak@mail.ru Аннотация: Исследованы пороговые характеристики ВКР-генерации на длине… Читать далее »
С. О. Слипченко, О. С. Соболева, В. С. Головин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург, Политехническая ул., 26; e-mail: Serghpl@mail.ioffe.ru Аннотация: На основе разработанной численной 2D модели полупроводниковых лазеров исследовано влияние характеристик резонатора на потери, а также проанализирован выбор параметров резонатора для эффективной работы лазера при сверхвысоких токах накачки. Показано,… Читать далее »
С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский, Ю. Н. Панченко, А. В. Пучикин, Е. В. Горлов С.А.Ямпольская, А.Г.Ястремский, А.В.Пучикин. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск, просп. Академический, 2/3; e-mail: s_yampolskaya@yahoo.com Е.В.Горлов. Институт оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН, Россия, 634055 Томск, пл. Акад. Зуева, 1 Ю.Н.Панченко. Институт сильноточной электроники СО РАН, Россия, 634055 Томск,… Читать далее »
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Читать далее »
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Читать далее »
А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК “ФИД-Техника”, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Читать далее »
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва Институт космических исследований РАН, г. Москва Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Czech Technical University in Prague, Prague, Czech Republic Аннотация: Впервые, насколько нам известно, исследован уникальный дальномер, созданный на базе диодного инжекционного лазера с безопасным для глаз уровнем… Читать далее »
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, С.-Петербург Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Санкт-Петербург АО “ОКБ-Планета”, г. Великий Новгород Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ООО “Коннектор Оптикс”, г. Санкт-Петербург… Читать далее »
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Теоретически исследована работа лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой. Для случая не слишком малого коэффициента отражения выходного зеркала получено аналитическое решение, которое позволяет исчерпывающе определить любые энергетические характеристики лазера и найти оптимальные параметры рабочей среды и излучения накачки, необходимые для наиболее эффективной работы… Читать далее »