Архив метки: И. М. Тупицын

Изготовление и исследование генерационных характеристик монолитных керамических микрочип-лазеров Nd³⁺:YAG/Cr⁴⁺:YAG

А. Ю. Канаев, А. Л. Коромыслов, К. В. Лопухин, И. М. Тупицын, Е. А. Чешев А.Ю.Канаев, А.Л.Коромыслов, И.М.Тупицын, Е.А.Чешев. Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва, Ленинский просп., 53; e-mail: imtupitsyn@yandex.ru К.В.Лопухин. Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, Россия, Московская обл., 141190 Фрязино, пл. Акад. Введенского, 1 Аннотация: Исследованы характеристики монолитных… Читать далее »

Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва Институт космических исследований РАН, г. Москва Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Czech Technical University in Prague, Prague, Czech Republic Аннотация: Впервые, насколько нам известно, исследован уникальный дальномер, созданный на базе диодного инжекционного лазера с безопасным для глаз уровнем… Читать далее »

Инактивация коронавирусов под действием излучения светодиодов UVA-диапазона

И. Н. Завестовская, В. А. Гущин, Л. И. Руссу, Е. А. Чешев, А. Л. Коромыслов, И. М. Тупицын, А. А. Фроня, М. С. Григорьева Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Россия, Москва Национальный исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии им. Н.Ф.Гамалеи, Россия, Москва Аннотация: Представлены результаты… Читать далее »