Архив метки: П. С. Копьев

Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры ( λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кондратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург, Политехническая ул., 26; e-mail: SergHPL@mail.ioffe.ru Аннотация: Исследовано влияние… Читать далее »

Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Подробно изложены основные результаты работ по созданию мощных полупроводниковых лазерных диодов на основе асимметричных… Читать далее »

Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ

В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: При помощи численного решения одномерных (1D) скоростных уравнений проанализирован эффект выгорания продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах. Расчёты проводились для лазеров на основе GaAs, работающих на длине волны… Читать далее »

Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах

П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург ООО ”Эльфолюм”, г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы импульсные излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с активной областью, включающей две квантовые… Читать далее »

Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального… Читать далее »

Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны мощные квазинепрерывные полупроводниковые лазеры с шириной излучающей апертуры 800 мкм и сплошным р-контактом. Продемонстрирована генерация лазерных импульсов длительностью 1 мс с частотой следования 10 Гц… Читать далее »