Архив метки: Р. В. Чернов

Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г.… Читать далее »

Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм

О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Разработаны мощные полупроводниковые лазеры с асимметричным… Читать далее »

Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D2 цезия

О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Экспериментально и теоретически показано, что при увеличении тока накачки лазерного диода и при одновременном уменьшении его температуры можно на порядок увеличить… Читать далее »