Архив рубрики: Лазеры

Д. В. Сизмин, В. Н. Пугачёва, К. В. Стародубцев, Л. А. Душина, О. И. Горчаков, В. Н. Деркач, И. Н. Воронич Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ, г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: Предложен новый вариант метода пространственно-временного сглаживания лазерного излучения с помощью спектральной дисперсии, не требующий использования высокочастотных фазовых модуляторов, – метод с применением широкополосного… Читать далее »

Г. В. Купцов, В. А. Петров, В. В. Петров, А. В. Лаптев, А. О. Коновалова, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск Новосибирский государственный технический университет Новосибирский национальный исследовательский государственный университет Аннотация: Рассмотрена нестационарная модель лазерного усиления в кристалле Yb : YAG, основанная на системе балансных уравнений, а также… Читать далее »

А. В. Кузнецов, А. Е. Дормидонов, В. О. Компанец, С. В. Чекалин, В. П. Кандидов Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН Институт спектроскопии РАН, г. Москва, г. Троицк Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет Аннотация: Экспериментально и численно исследована динамика возникновения микромодификаций в кристалле LiF при филаментации фемтосекундного излучения среднего ИК диапазона… Читать далее »

В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в… Читать далее »

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО «Сигм Плюс», г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»,… Читать далее »

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, г. С.-Петербург Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры… Читать далее »

В. И. Григорьевский, Я. А. Тезадов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН Аннотация: Проведено сравнение нелинейных искажений выходного излучения рамановского усилителя при усилении излучений с одной и с двумя ортогональными поляризациями (одно- и двухполяризационном усилении) в протяженном оптическом волокне. При выходной мощности 3.5 Вт на длине волны 1650 нм нелинейные… Читать далее »

М. Чен, Х. Ду, Дж. Цао, А. Лю, Чж. Пан, Чж. Хуанг, Цз. Чен College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, China State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, Changsha, China Hunan Provincial Key Laboratory of High Energy Laser Technology, Changsha, China Аннотация: Продемонстрирован полностью волоконный усилитель мощностью 100 Вт с… Читать далее »

О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов АО «НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Экспериментально и теоретически показано, что при увеличении тока накачки лазерного диода и при одновременном уменьшении его температуры можно на порядок увеличить… Читать далее »