Архив рубрики: Лазеры

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Читать далее »

Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального… Читать далее »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха», Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Читать далее »

Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 сдвоенных квантовых ям. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке GaAs. На… Читать далее »

Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровни

А. А. Бабин, М. В. Волков, С. Г. Гаранин, С. А. Ковалдов, А. В. Копалкин, Ф. А. Стариков, А. В. Страхов, В. В. Феоктистов ФГУП «Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ», г. Саров Нижегородской обл. Аннотация: При накачке на высоколежащие уровни получена лазерная генерация на атомах цезия и рубидия с длинами волн в диапазоне 2… Читать далее »

Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели

С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Представлена двумерная модель мощного полупроводникового лазера, учитывающая транспорт носителей заряда перпендикулярно слоям гетероструктуры и эффект продольного пространственного выжигания носителей… Читать далее »

Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны мощные квазинепрерывные полупроводниковые лазеры с шириной излучающей апертуры 800 мкм и сплошным р-контактом. Продемонстрирована генерация лазерных импульсов длительностью 1 мс с частотой следования 10 Гц… Читать далее »

Многопроходный дисковый Yb : KGW-усилитель

А. К. Потемкин, М. А. Мартьянов, С. Ю. Миронов Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород Аннотация: Исследован многопроходный дисковый Yb: KGW- усилитель, собранный на основе ячейки Уайта и накачиваемый лазерным диодом с волоконным выходом. Показано, что трехзеркальный вариант ячейки в три раза эффективнее четырехзеркального, поскольку размер и положение пучка… Читать далее »

Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики

М. В. Богданович, В. Н. Дудиков, К. В. Лепченков, В. А. Лойко, Ю. М. Попов, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Аннотация: Изучены пространственные, временные и спектральные характеристики… Читать далее »

Термоупругие напряжения в мощных непрерывных линейках лазерных диодов, смонтированных на сабмаунтах из CuW и AlN

В. П. Гордеев, В. А. Олещенко, В. В. Безотосный Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Аннотация: Представлены сравнительные результаты 3D расчёта профилей термоупругих напряжений (ТУН) в линейках лазерных диодов (ЛЛД), смонтированных на сабмаунтах (термокомпенсаторах) из CuW и AlN и работающих при мощностях непрерывной тепловой нагрузки до 220 Вт. В результате… Читать далее »