Архив рубрики: Лазеры

Управление режимами импульсной генерации в эрбиевом волоконном лазере с пассивной синхронизацией мод, основанной на нелинейном вращении плоскости поляризации

И. А. Волков, В. А. Камынин, П. А. Итрин, С. Н. Ушаков, К. Н. Нищев, В. Б. Цветков Национальный исследовательский Мордовский государственный университет, г. Саранск Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва Ульяновский государственный университет Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Экспериментально исследована возможность управления режимом импульсной генерации эрбиевого волоконного кольцевого… Читать далее »

Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ

В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: При помощи численного решения одномерных (1D) скоростных уравнений проанализирован эффект выгорания продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах. Расчёты проводились для лазеров на основе GaAs, работающих на длине волны… Читать далее »

Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г.… Читать далее »

Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре

В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, А. Д. Андреев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, Ю. К. Бобрецова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН,… Читать далее »

Перестраиваемый полупроводниковый лазер с двумя управляемыми акустооптическими фильтрами во внешнем резонаторе

Л. Н. Магдич, А. Ю. Чаморовский, В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Superlum Diodes Ltd, Ireland ООО “Оптон”, г. Москва Московский технологический университет (МИРЭА) Аннотация: Исследован лазер с линейным внешним резонатором, содержащим в качестве активного элемента инжекционный полупроводниковый оптический усилитель ближнего ИК диапазона… Читать далее »

Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм

О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Разработаны мощные полупроводниковые лазеры с асимметричным… Читать далее »

Об «ошибочности» скоростного уравнения для плотности фотонов полупроводникового лазера

В. Д. Курносов, К. В. Курносов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: В опубликованных в журнале “Квантовая электроника” работах [1, 2] утверждается, что скоростное уравнение для плотности фотонов с членом, учитывающим вклад спонтанного излучения в моду, является ошибочным (из рассмотрения необходимо исключить спонтанный член), и критикуются работы [3, 4]. В настоящей… Читать далее »

Полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа

М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый лазер c оптической накачкой на основе наноразмерной гетероструктуры CdS/ZnSe, содержащей 10 квантовых ям с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на… Читать далее »

Однородное уширение в спектре широкополосного эрбиевого волоконного источника излучения

С. К. Моршнев, Н. И. Старостин, Я. В. Пржиялковский, А. И. Сазонов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН Аннотация: Исследована интерференция световых цугов, выделяемых в неоднородном спектре излучения волоконного суперлюминесцентного эрбиевого источника при сканировании спектроанализатора по длинам волн. Установлено, что при уменьшении спектрального разрешения спектроанализатора до значений, соответствующих резкому падению… Читать далее »

Эффективная генерация излучения в смесях гелия и фтора в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами

В. Ф. Тарасенко, А. Н. Панченко, В. В. Кожевников Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск Аннотация: Исследованы параметры вынужденного излучения, генерируемого в диффузных разрядах, которые формируются в смесях гелия и фтора в резко неоднородном электрическом поле. Получена генерация в видимой и ВУФ областях спектра на переходах атомов и молекул фтора. Показано, что в смесях… Читать далее »