Наносекундный полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 496.5 нм
М. Р. Бутаев, В. И. Козловский, Я. К. Скасырский Физический институт им. П. Н. Лебедева, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Аннотация: Исследован полупроводниковый дисковый лазер c оптической накачкой на основе гетероструктуры, содержащей десять сдвоенных квантовых ям CdS/ZnSe с разрывами зон второго типа. Структура выращена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭМОС)… Читать далее »