Архив рубрики: Лазеры

Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”,… Читать далее »

Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, г. С.-Петербург Аннотация: Методом ввода зондирующего излучения экспериментально исследовано поглощение оптического излучения на свободных носителях заряда в слоях AlGaAs/GaAs-гетероструктуры… Читать далее »

Повышение выходной мощности излучения с длиной волны около 1650 нм методом двухполяризационного рамановского усиления

В. И. Григорьевский, Я. А. Тезадов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН Аннотация: Проведено сравнение нелинейных искажений выходного излучения рамановского усилителя при усилении излучений с одной и с двумя ортогональными поляризациями (одно- и двухполяризационном усилении) в протяженном оптическом волокне. При выходной мощности 3.5 Вт на длине волны 1650 нм нелинейные… Читать далее »

Экспериментальное исследование полностью оптоволоконного усилителя мощностью 100 Вт, работающего вблизи 980 нм

М. Чен, Х. Ду, Дж. Цао, А. Лю, Чж. Пан, Чж. Хуанг, Цз. Чен College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, China State Key Laboratory of Pulsed Power Laser Technology, Changsha, China Hunan Provincial Key Laboratory of High Energy Laser Technology, Changsha, China Аннотация: Продемонстрирован полностью волоконный усилитель мощностью 100 Вт с… Читать далее »

Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D2 цезия

О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Аннотация: Экспериментально и теоретически показано, что при увеличении тока накачки лазерного диода и при одновременном уменьшении его температуры можно на порядок увеличить… Читать далее »

Твердотельный органический лазер с диапазоном перестройки длины волны излучения 78 нм

Е. Н. Тельминов, А. Х. Якуб, Т. А. Солодова, Е. Н. Никонова, Т. Н. Копылова Томский государственный университет Аннотация: Приведены результаты исследований генерационных характеристик органического твердотельного перестраиваемого лазера с матрицей из полиметилметакрилата, допированой красителями Хромен 3, Пиррометен 567 и Пиррометен 597. Отмечены особенности генерации при использовании селективного и неселективного резонаторов. Получена перестройка длины волны генерации… Читать далее »

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва ФГУП Научно-производственное предприятие “Инжект”, г. Саратов Аннотация:… Читать далее »

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Читать далее »

Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального… Читать далее »

Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва АО “НИИ “Полюс” им. М.Ф.Стельмаха”, Москва, Россия Аннотация: Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs с резонанснопериодическим усилением… Читать далее »