Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев… Читать далее »
В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. С.-Петербург Университет ИТМО,… Читать далее »
Е. О. Батура, Ю. К. Бобрецова, М. В. Богданович, Д. А. Веселов, А. В. Григорьев, В. Н. Дудиков, А. М. Кот, Н. А. Пихтин, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, С. О. Слипченко, П. В. Шпак Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация:… Читать далее »
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин АО «НИИ “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф.… Читать далее »
В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, г. С.-Петербург… Читать далее »
В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин ООО “Сигм Плюс”, г. Москва Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, г. Москва Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Созданы полупроводниковые лазеры на… Читать далее »
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихти Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Научно-исследовательский институт “Полюс” им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва Аннотация: Исследованы характеристики мощных полупроводниковых лазеров с шириной излучающей апертуры 800 мкм,… Читать далее »
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработан генерирующий в спектральной области 1060 нм импульсный источник излучения с пиковой выходной оптической мощностью киловаттного уровня на основе вертикального… Читать далее »
С. О. Слипченко, В. С. Головин, О. С. Соболева, И. А. Ламкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) Аннотация: Представлена двумерная модель мощного полупроводникового лазера, учитывающая транспорт носителей заряда перпендикулярно слоям гетероструктуры и эффект продольного пространственного выжигания носителей… Читать далее »
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны мощные квазинепрерывные полупроводниковые лазеры с шириной излучающей апертуры 800 мкм и сплошным р-контактом. Продемонстрирована генерация лазерных импульсов длительностью 1 мс с частотой следования 10 Гц… Читать далее »